在光学器件结构、机械结构、电路结构等方面的专利申请中，往往不同的结构具有相似的结构，采用的器件名称也大同小异，展现出来的附图也往往很相似。如果仅仅只是比较附图，就会误认为专利申请与对比文件的结构一样，认为申请专利缺少创造性。而在这类专利审查过程中，往往专利审查意见中倾向是：专利申请中没有可以被授予专利权的实质性内容，如果申请人没有陈述理由或者陈述理由不充分，其申请将被驳回。
审查意见认为：
区别特征仅仅是本领域技术人员容易想到的。
而这类审查意见的答复要点就是：把对比文件与本发明的不同分析透彻，对两者的附图进行直观比较，并对两者的技术构思、技术效果进行比较，以证实本发明的区别特征不是显而易见的。
下面将给出一个实际答复案例。
示例：基于各向异性光门控操控的超高消光比红外偏振探测器
原申请的部分权利要求为：
1.基于各向异性光门控操控的超高消光比红外偏振探测器，其特征在于，包括底部衬底层（1）、局域栅极层（2）、电介质层（3）、源电极层（4-1）、漏电极层（4-2）、二维材料层（5）；局域栅极层（2）设置于底部衬底层（1）上方；电介质层（3）设置于局域栅极层（2）上方；源电极层（4-1）或漏电极层（4-2）设置于电介质层（3）上方，源电极层（4-1）或漏电极层（4-2）中的另外一个电极层设置于底部衬底层（1）上方；
源电极层（4-1）和漏电极层（4-2）上方设置二维材料层（5），二维材料层（5）分别连接至源电极层（4-1）和漏电极层（4-2）；或，二维材料层（5）设置于电介质层（3）和底部衬底层（1）上方，源电极层（4-1）和漏电极层（4-2）设置于二维材料层（5）上方；
电介质层（3）材料与底部衬底层（1）材料的束缚态数目有差异；二维材料层（5）为各向异性材料；二维材料层（5）的一部分与底部衬底层（1）接触，另一部分与电介质层（3）接触。
基于各向异性光门控操控的超高消光比红外偏振探测器包括局域栅极层设置于底部衬底层上方，电介质层设置于局域栅极层上方，两对电极为源电极层和漏电极层，源电极层和漏电极层上方设置二维材料层。
对比文件1已经公开了：其结构自下至上包括Si衬底1、SiO2栅介质层2（即底部衬底层）、h-BN纳米薄膜3（即电介质层）和SiP2纳米薄膜4（即二维材料层），SiP2纳米薄膜4位于h-BN纳米薄膜3的上表面，SiP2纳米薄膜4上设置有金属电极5，电极图形为两对电极，金属电极5设置于h-BN纳米薄膜3（即电介质层）上方，金属电极5设置于SiO2栅介质层2（即底部衬底层）上方，SiP2纳米薄膜4（即二维材料层）分别连接至金属电极5；或SiP2纳米薄膜4（即二维材料层）设置于h-BN纳米薄膜3（即电介质层）和SiO2栅介质层2（即底部衬底层）上方，金属电极5设置于SiP2纳米薄膜4（即二维材料层）上方；h-BN纳米薄膜3（即电介质层）和SiP2纳米薄膜4（即二维材料层）的束缚态数目有差异，SiP2纳米薄膜4（即二维材料层）为各向异性材料，电极图形为两对电极，一对设计在带有h-BN纳米薄膜复合结构的SiP2薄膜，另外一对设计在没有h-BN纳米薄膜的SiP2薄膜上，没有h-BN纳米薄膜的SiP2薄膜与SiO2栅介质层2接触（即二维材料层的一部分与底部衬底层接触，另一部分与电介质层接触）。
在此基础上，将栅极设置为顶栅结构，电极为源电极层和漏电极层，具体地局域栅极层设置于底部衬底层上方，电介质层设置于局域栅极层上方，两对电极为源电极层和漏电极层，源电极层和漏电极层上方设置二维材料层以形成基于各向异性光门控操控的超高消光比红外偏振探测器是本领域技术人员容易想到的。
由此可知，在对比文件1的基础上结合本领域常规选择得到权利要求1所请求保护的技术方案对于本领域技术人员来说是显而易见的，因此，权利要求1不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
1）对比文件1与本发明的技术构思不同。
对比文件1的技术问题是“实现超灵敏光电探测”，其核心技术构思是通过“SiP2/h-BN复合结构+背栅调控”降低暗电流，提升光电探测灵敏度。
而本申请的技术问题是“实现超高消光比的红外偏振探测”，核心技术构思是“基于各向异性光门控操控”，通过特定的层叠结构设计（局域栅极层-电介质层-源漏电极层-二维材料层的自上而下结构），在各向异性沟道材料中构造出能够产生自驱动光响应的同质结，在实施例中具体表现为(BP/hBN)-(BP/SiO2)同质结，通过操控同质结的大小和方向来调控二维材料的各向异性光电响应，从而实现对红外偏振信号的精准识别与高消光比检测。
两者的技术构思截然不同，对比文件1未涉及任何“偏振探测”相关的技术需求，也未给出任何与“偏振调控”相关的技术启示，本领域技术人员在面对“红外偏振探测”这一特定技术问题时，根本不会将仅解决“通用光电灵敏度”问题的对比文件1作为改进基础，不存在任何改进动机。
2）本申请的区别技术特征并非常规结构选择，不属于本领域常规技术手段。
对比文件1未公开本申请的层叠结构及其作用：
对比文件1中SiO2栅介质层作为栅极作用于底部衬底层（背栅），目的是调控暗电流。如下图1中的结构只有左边是对比文件1的二维SiP2和h-BN复合结构，右边是没有h-BN纳米薄膜的左边的对照组，沟道材料只接触了hBN一种材料。如下图1给出对比文件1的结构分析，其中红色虚线框标出的才是对比文件1的二维SiP2和h‑BN复合结构光电晶体管的结构。沟道材料SiP2的参杂浓度在水平方向上是均匀的。没有出现SiP2同质结。
图1、D1的二维SiP2和h‑BN复合结构光电晶体管的结构示意图（左半边所示）；其中：1 .Si衬底，2 .SiO2栅介质层 ,3 .hBN纳米薄膜，4 .SiP2纳米薄膜 ,5 .金属电极，6 .波长532nm激光。
本发明中，二维材料层（如BP）在水平方向有两个界面产生接触。
如图2所示，本发明并未设置SiO2栅介质层，对比文件的“SiO2栅介质层+Si衬底”构成的背栅结构，并不能等同于本发明“底部衬底层+局域栅极层（2）”的局域栅结构，其与发明的作用不同。在本发明中，不仅“局域栅极层（2）”是局域的，电介质层（3）同样也被要求是“局域”的，使得沟道材料即二维材料层（如BP）在水平方向上同时与缺陷态数目不同的两个界面产生接触，由于两种界面上被束缚的电荷具有差异而产生了(BP/hBN)-(BP/SiO2)同质结。对比文件1的“全覆盖式”背栅结构无法实现“光门控调控各向异性”的功能，其结构设计与本申请完全不同，未给出任何技术启示。
图2为本发明的红外偏振探测器的结构示意图
其中：1、底部衬底层；2、局域栅极层；3、电介质层；41、源电极层；42、漏电极层；5、二维材料层
3）比对对比文件1与本发明的技术效果不同。
本申请红外偏振探测器基于区别特征特定的层叠结构实现了“各向异性光门控操控”，使本发明的探测器具备超高消光比，远优于常规红外偏振探测器的消光比水平；同时，该结构设计兼顾了红外波段的高响应度和低暗电流，解决了现有红外偏振探测器“消光比与响应度难以兼顾”的技术问题。而对比文件1实现通用光电探测的灵敏度提升，并记载实现偏振探测功能，也无法达到超高消光比的技术效果。
通过上述的答复思路，本申请一通后顺利拿到授权。
所以，我们在答复这类审查意见时注意以下几点：
1）比较对比文件1与本发明的技术构思不同。
2）附上对比文件1与本发明的图片，陈述两者的不同：对比文件1的结构附图和本发明的结构附图看似很像，对审查人员产生了很大的误导，但实际上本发明的器件结构与对比文件1有很大差别，对比文件1中的结构附图中部分器件不属于其本身。
3）比对对比文件1与本发明的技术效果不同。
供稿部门：精金石实务部
作者：贾晓晓
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